通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可以对材料进行加工, 真空环境下, 实现沉积薄膜, 干式蚀刻和材料表面改性等工艺.
KRi 离子源常见工艺应用
|
工艺应用 |
简称 |
|
In-situ substrate preclean 预清洁 |
PC |
|
Ion-beam modification of material and surface properties |
IBSM |
|
- Surface polishing or smoothing 表面抛光 |
|
|
- Surface nanostructures and texturing |
|
|
- Ion figuring and enhancement 离子计算和增强 |
|
|
- Ion trimming and tuning 离子修整和调谐 |
|
|
- Surface-activated bonding 表面激活键合 |
SAB |
|
Ion-beam-assisted deposition 辅助镀膜 |
IBAD |
|
Ion-beam etching 离子蚀刻 |
IBE |
|
- Reactive ion-beam etching 活性离子束蚀刻 |
RIBE |
|
- Chemically assisted ion-beam etching 化学辅助离子束蚀刻 |
CAIBE |
|
Ion-beam sputter deposition 离子溅射 |
IBSD |
|
- Reactive ion-beam sputter deposition 反应离子溅射 |
RIBSD |
|
- Biased target ion-beam sputter deposition |
BTIBSD |
|
Direct deposition 直接沉积 |
DD |
|
- Hard and functional coatings |
|
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究!